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| 형식 | 전기장치 | 제목 | 반도체 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si) 등은 도체와 절연체의 중간(10 - 3 ~10 6 Ω.m)인 고유저항을 지니고 있으므로 반도체라 부르며 반도체는 온도에 의한 저항 값의 변화가 금속과는 반대이다. 게르마늄이나 실리콘의 결정은 상온에서도 몇 개의 자유전자가 있으며 이것에 열이나 빛 등의 에너지를 가하면 원자의 구속을 이기고 튀어나오는 전자 수가 증가한다. 따라서 온도가 상승하면 고유저항이 감소하는 반도체의 성질을 나타낸다. 반도체에는 진성 반도체와 진성 반도체에 미소량의 불순물을 혼합한 불순물 반도체인 P형 반도체, N형 반도체가 있다.
각 물질의 고유저항 |
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