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| 형식 | 전기장치 | 제목 | 트랜지스터 |
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1. 트랜지스터(transistor) 트랜지스터는 PN형 다이오드의 N형 쪽에 P형을 덧붙인 PNP형과, P형 쪽에 N형을 덧붙인 NPN형이 있으며, 3개의 단자 부분에는 인출선이 붙어 있다. 중앙부분을 베이스(B, base：제어부분), 양쪽의 P형 또는 N형을 각각 이미터(E； emitter) 및 컬렉터(C； collector)라고 한다. PNP형은 이미터에서 베이스로 전류가 흐르고, NPN형은 베이스에서 이미터로 전류가 흐른다.
PNP 트랜지스터 NPN 트랜지스터 1.1. 트랜지스터의 작용 트랜지스터의 대표적인 작용으로는 스위칭작용, 증폭작용 및 발진작용 등이 있다. (1) 스위칭(switching)작용 트랜지스터는 베이스 전류를 단속(ON, OFF)하여 컬렉터 전류를 단속할 수 있다. 즉, 릴레이의 여자전류에 해당되는 것이 베이스 전류이며, 트랜지스터는 릴레이의 접점에 해당하므로 릴레이와 같이 기계식 접점을 사용하지 않고도 전류를 단속시킬 수 있다. 즉, 이미터와 컬렉터를 통전 상태로 하려면 베이스에 전류가 흐르도록 하면 되고, 베이스 전류를 단속하면 이미터와 컬렉터사이를 단속할 수 있다.
(2) 증폭작용 NPN형에서 이미터에 (－), 베이스와 컬렉터에 (＋)를 연결하고, 베이스에 부하 저항을 통하여 (＋)전압을 가하면 이미터의 전자는 베이스의 (＋)쪽으로 흡입되어 베이스의 홀 쪽으로 이동하므로 베이스 전류가 흐른다. 베이스는 매우 얇으므로 베이스 전류가 흐를 때 이미터의 전자는 컬렉터의 (＋)쪽으로 흡인되므로 이미터와 컬렉터사이가 통전 상태가 되어 컬렉터에 전류(Ic)가 흐른다. 그리고 베이스가 얇기 때문에 이미터의 전자는 베이스의 홀로 이동하는 양보다 컬렉터의 (＋)쪽으로 이동하는 양이 압도적으로 많아진다. 즉, 적은 양의 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류를 얻을 수 있으며, 또 베이스 전류의 크기를 변화시킴으로서 컬렉터의 전류를 증감할 수 있는데 이 작용을 증폭작용이라 하며 증폭률은 다음의 공식으로 표시한다. 증폭률= 1.2. 포토 트랜지스터(photo transistor) 이것은 PN접합부에 빛을 쪼이면 빛 에너지에 의해 발생한 전자와 홀이 외부로 흐른다. 입사광선에 의해 전자와 홀이 발생하면 역 전류가 증가하고, 입사광선에 대응하는 출력 전류가 얻어지는데 이를 광전류라 한다. 포토 트랜지스터에는 PN접합의 2 극 소자형과 NPN의 3 극 소자형이 있으며, 빛이 베이스 전류 대용으로 사용되므로 전극이 없고 빛을 받아서 컬렉터 전류를 제어한다. 포토 트랜지스터의 특징은 다음과 같다. ① 광 출력 전류가 매우 크다. ② 내구성과 신호 성능이 풍부하다. ③ 소형이고, 취급이쉽다. 1.3. 다링톤 트랜지스터(darlington TR)
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